既然MOS结构是对称的，那么为什么还要将一个n区称为源而另一个n区称为漏呢？如果将源定义为提供载流子（NMOS器件中为电子）的终端而漏定义为收集载流子的终端，这一点就很清楚了。

I/V特性的推导

I/V特性的推导其实就是模型建立的过程，首先建立好在非线性区（非饱和区、三极管区）的模型，得到的数学模型为：

这是一种抛物线，接下来研究在线性区（饱和区）的模型，同样可以得到一个数学模型：

此时再引入一个跨导，用于表示电压转换为电流的能力：

在这个时候，初步的模型已经有了，但是这个模型还是和现实在有点差距，主要体现在三个二级效应没有考虑：体效应、沟道长度调制、亚阈值导电性。

体效应主要是用来对阈值进行修正：

沟道长度调制主要是用来对饱和区的电流进行修正

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