SK海力士声称，其HBM采用该司独特的大规模回流成型底部填充 (MR-MUF) 技术制造，比使用热压缩非导电膜 (TC-NCF) 制造的产品坚固60%。SK海力士通过使用尖锐工具刺穿H9BM安装的DRAM顶部以产生划痕来进行测试，结果发现其芯片的划痕比使用TC-NCF生产的芯片少。（财联社）